产品名称：Sintec新特 SA-λ-A-τ-x 透射式饱和吸收体

Sintec新特 SA-λ-A-τ-x 透射式饱和吸收体

无布拉格反射镜的可饱和吸收体可用于激光器的自启动、被动锁模，但工作在透射模式。例如，它可以插入光纤环形激光器。SA的饱和通量明显高于SAM。

SA订单信息：零件号：SA-λ-A-τ-x

• λ激光波长

• A 低强度吸收

• τ吸收体弛豫时间

• x 安装条件

1.零件号：STB-SA-1020-40-x，波长1020 nm

• 激光波长：980-1040 nm

• 吸收率：40%

• 调制深度：25%

• 不饱和损耗：15%

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 脉冲损伤阈值：1.2 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~500 fs

• 芯片面积：5mm x 5mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半绝缘砷化镓

2.零件号：STB-SA-1030-34-3ps-x波长1030nm

• 激光波长：1000 nm…1040 nm

• 吸收率：34%

• 调制深度：20%

• 非饱和损耗：14%

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 脉冲损伤阈值：1.2 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~3ps

• 芯片面积：5mm x 5mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：450μm；半绝缘砷化镓

3.零件号：STB-SA-1064-14-28ps-x，波长1064nm

• 激光波长：1000 nm…1100 nm

• 吸收率：14%

• 透光率：85%

• 调制深度：3.4%

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：200mW/cm2

• 弛豫时间常数：~28 ps

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半绝缘砷化镓

4.零件号STB-SA-1064-25-500fs-x，波长1064 nm

• 激光器波长:1050 nm …1090nm

• 吸收率：25%

• 调制深度：13%

• 非饱和损耗：12%

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：1.2 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~500 fs

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μ米；半绝缘砷化镓

5.零件号STB-SA-1064-26-37ps-x，波长1064 nm

• 激光波长：1000 nm…1100 nm

• 吸收率：26%

• 透光率：73%

• 调制深度：4.9%

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：1 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~37 ps

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半绝缘砷化镓

6.零件号STB-SA-1064-40-500fs-x，波长1064nm

• 激光波长：1030 nm…1090 nm

• 吸收率：40%

• 调制深度：25%

• 不饱和损耗：15%

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：1 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~500 fs

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半绝缘砷化镓

7.零件号STB-SA-1340-22-20ps-x，波长1340 nm

• 激光波长：1340nm

• 吸收率：22%

• 调制深度：14%

• 不饱和损耗：8%

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：1.2 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~20 ps

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半绝缘砷化镓

8.产品清单，λ=1550nm，625µm自由空间应用的基片厚度

（1） 零件号STB-SA-1550-6-20ps-x，波长1550nm

• 激光波长：1550nm

• 吸收率：6%

• 调制深度：4%

• 不饱和损耗：2%

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：1.5 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~20 ps

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半绝缘砷化镓

（2） 零件号SA-1550-35-2ps-x，波长1550 nm

• 激光波长：1400 nm…1600 nm

• 吸收率：35%

• 调制深度：21%

• 非饱和损耗：14%

• 饱和光强：300μm

• 损伤阈值：1.5 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~2ps

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半绝缘砷化镓

（3） 零件号STB-SA-1550-46-2ps-x，波长1550 nm

• 激光波长：1400 nm…1600 nm

• 吸收率：46%

• 调制深度：28%

• 不饱和损耗：18%

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：1.5 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~2ps

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半绝缘砷化镓

9. 1550nm、150µm基片厚度光纤对接耦合的可饱和吸收体

（1） 零件号STB-SA-1550-25-2ps-x，波长1550 nm

• 激光波长：1500 nm…1600 nm

• 吸收率：25%

• 调制深度：15%

• 不饱和损耗：10%

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：2 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~2ps

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：100μm；半绝缘砷化镓

（2） 零件号STB-SA-1550-41-2ps-thin-x，波长1550 nm，光纤耦合用薄可饱和吸收体

• 激光波长：1400 nm…1600 nm

• 吸收率：41%

• 调制深度：25%

• 不饱和损耗：16%

• 光纤耦合插入损耗：≤ 1.6分贝

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：1.5 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~2ps

• 芯片面积：1.3mm×1.3mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：150μm；半绝缘砷化镓

（3） 零件号STB-SA-1550-58-2ps-thin-x，波长1550 nm，光纤耦合用薄可饱和吸收体

• 激光波长：1400 nm…1600 nm

• 吸收率：58%

• 调制深度：35%

• 非饱和损耗：23%

• 光纤耦合插入损耗：≤ 1.6分贝

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：1.5 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~2ps

• 芯片面积：1.3mm×1.3mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：150μ米；半绝缘砷化镓

• 10. 2000nm可饱和吸收体

（1） 零件号STB-SA-2000-1-x波长2000 nm

• 激光波长：1900 nm…2100 nm

• 吸收率：1%

• 调制深度：0.6%

• 不饱和损耗：0.4%

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：3mj/cm2

• 弛豫时间常数：~10ps

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μ米；半绝缘砷化镓

（2）零件号STB-SA-2000-25-10ps-x，波长2000 nm

• 激光波长：1800 nm…2200 nm

• 吸收率：25%@2000 nm

• 透光率：74%@2000 nm

• 反射率：1%@2000 nm

• 调制深度：15%@2000 nm

• 非饱和损耗：11%@2000 nm

• 饱和光强：2 mJ/cm2

• 损伤阈值：4mj/cm2

• 弛豫时间常数：~10ps

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：180μ米；半绝缘砷化镓

（3） 零件号STB-SA-2000-43-x，波长2000 nm

• 激光波长：1800 nm…2200 nm

• 吸收率：43%@2000 nm

• 透光率：56%@2000 nm

• 反射率：0.2%@2000 nm

• 调制深度：23%@2000 nm

• 非饱和损耗：20%@2000 nm

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：2 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~10ps

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm或150μm配光纤对接耦合；半绝缘砷化镓

11.零件号STB-SA-2800-10-10ps-x，波长2800 nm

• 激光波长：2500 nm…3000 nm

• 吸收率：10%@2.8μ米

• 透光率：90%@2.8μ米

• 反射率：0%@2.8μ米

• 调制深度：6%@2.8μ米

• 非饱和损耗：4%@2.8μ米

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：2 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~10ps

• 芯片面积：5mm×5mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm半绝缘砷化镓

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