• 产品名称:Panasonic松下 GE 1a1b PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

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  • 产品厂商:Panasonic松下
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Panasonic松下 GE 1a1b PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

基本信息

具备加强绝缘5,000V 1a1b型

RoHS規格 UL Recognaized VDE TRIANGLE MARK

UL 、VDE 已取得。

特点

1.负载电压 60V型具备低导通电阻(1Ω)、高容量(0.5A)

2.负载电压 备有60V、350V、400V

3.耐电压 5,000V(高耐电压)

4.输出构成:1a1b

用途

1.电源

2.安防设备

3.电话设备

4.传感器设备

5.测量仪器

6.通信调制解调器

7.电力・工厂设备

订货产品号

订货产品号 封装 电压类型 端子形状 包装方式 负载电压 负载电流 耐电压
DIP8 AC/DC 标准P/C板端子 管装包装 350V 120mA 5,000Vrms
DIP8 AC/DC 表面安装端子 管装包装 350V 120mA 5,000Vrms
DIP8 AC/DC 表面安装端子 盘装包装(X) 350V 120mA 5,000Vrms
DIP8 AC/DC 表面安装端子 盘装包装(Z) 350V 120mA 5,000Vrms
DIP8 AC/DC 标准P/C板端子 管装包装 60V 500mA 5,000Vrms
DIP8 AC/DC 表面安装端子 管装包装 60V 500mA 5,000Vrms
DIP8 AC/DC 表面安装端子 盘装包装(X) 60V 500mA 5,000Vrms
DIP8 AC/DC 表面安装端子 盘装包装(Z) 60V 500mA 5,000Vrms
DIP8 AC/DC 标准P/C板端子 管装包装 400V 100mA 5,000Vrms
DIP8 AC/DC 表面安装端子 管装包装 400V 100mA 5,000Vrms










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