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  • 产品名称：Panasonic松下 GU 2b PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

  • 产品型号：
  • 产品厂商：Panasonic松下
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Panasonic松下 GU 2b PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

基本信息

可执行微小模拟信号控制，通用2b型

RoHS規格 UL Recognaized

UL 已取得。


特点

1.负载电压 400V

2.可执行微小模拟信号控制

3.输出构成:2b

4.2b输出及可使用2个1b

用途

1.安防设备

2.电话设备

3.测量仪器

4.传感器设备

订货产品号

订货产品号 封装 电压类型 端子形状 包装方式 负载电压 负载电流 耐电压

PhotoMOS GU 2b

品号 AQW414
型号 AQW414
DIP8 AC/DC 标准P/C板端子 管装包装 400V 100mA 1,500Vrms

PhotoMOS GU 2b

品号 AQW414A
型号 AQW414A
DIP8 AC/DC 表面安装端子 管装包装 400V 100mA 1,500Vrms

PhotoMOS GU 2b

品号 AQW414AX
型号 AQW414AX
DIP8 AC/DC 表面安装端子 盘装包装(X) 400V 100mA 1,500Vrms

PhotoMOS GU 2b

品号 AQW414AZ
型号 AQW414AZ
DIP8 AC/DC 表面安装端子 盘装包装(Z) 400V 100mA 1,500Vrms

发现了4件的产品。 现表示其中的1～4件

 
包装数量 ： 标准P/C板端子 ： 内箱(管装包装)50个,外箱400个
表面安装端子 ： 内箱(管装包装)50个,外箱400个
内箱(盘装包装)1,000个,外箱1,000个

额定・性能概要

额定

1.***大额定值(测定条件环境温度：25℃)

项目 符号 AQW414(A) 备注
输入端 LED电流 IF 50mA  
LED反向电压 VR 5V  
*大正向电流 IFP 1A f=100Hz，占空比=0.1％
允许损耗 Pin 75mW  
输出端 负载电压(峰值AC) VL 400V  
连续负载电流 IL 0.1A(0.13A) 峰值AC, DC
( )内**使用1b 1电路时
峰值负载电流 Ipeak 0.3A 100ms(1shot)，VL＝DC
输出损耗 Pout 800mW  
全部允许损耗 PT 850mW  
耐电压 Viso 1,500Vrms  
使用环境温度 Topr −40～+85℃ （应无结冰，结露）
保存温度 Tstg −40～+100℃  
接合部温度 Tj 125℃  

2.性能概要（测定条件 环境温度：25℃）

项目 符号 AQW414(A) 测定条件
输入 动作LED电流 平均 IFoff 0.7mA IL=Max.
*大 3mA
复位LED电流 *小 IFon 0.4mA
平均 0.64mA
LED压降 平均 VF 1.25V(IF=5mA时，1.14V) IF=50mA
*大 1.5V
输出 导通电阻 平均 Ron 26Ω IF=0mA
IL=Max.
通电时间=1秒以下
*大 50Ω
开路状态漏电流 *大 ILeak 1µA IF=5mA
VL=Max.
传输特性 动作时间※ 平均 Toff 0.46ms IF=0mA→5ｍA
IL=Max.
*大 1ms
复位时间※ 平均 Ton 0.40ms IF=5mA→0ｍA
IL=Max.
*大 1ms
输入/输出端子间容量 平均 Ciso 0.8pF f=1MHz
VB=0V
*大 1.5pF
输入/输出间绝缘电阻 *小 Riso 1,000MΩ 500V DC










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