• 产品名称:Panasonic松下 AQW610EHAX PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

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Panasonic松下 AQW610EHAX PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

订货产品号 AQW610EHAX
型号 AQW610EHAX
详细 表面安装端子,盘装包装(X),负载电压:350 V
产品名称 PhotoMOS GE 1a1b
特长 具备加强绝缘5,000V 1a1b型

 

规格详细

项目 内容
订货产品号 AQW610EHAX
型号 AQW610EHAX
产品名称 GE 1a1b
类型 GE
封装 DIP8
电压类型 AC/DC
输出构成 1a1b
端子形状 表面安装端子
包装方式 盘装包装(X)
包装数量
内箱 (盘装包装) (个)
1,000
包装数量
外箱 (个)
1,000
LED电流 [ IF ] 50mA
LED反向电压 [ VR ] 5V
*大正向电流 [ IFP ] 1A
部允许损耗 [ Pin ] 75mW
负载电压 [ VL ] 350V
连续负载电流 [ IL ] 0.12A
峰值负载电流 [ Ipeak ] 0.36A
输出损耗 [ Pout ] 800mW
全部允许损耗 [ Pt ] 850mW
耐电压 [ Viso ] 5,000Vrms
使用环境温度: 动作温度 [ Topr ] -40℃~+85℃
使用环境温度: 保存温度 [ Tstg ] -40℃~+100℃
接合部温度 [ Tj ] 125℃
动作LED电流(平均) 1.4mA (N.C.) (N.O.)
动作LED电流(*大) 3mA (N.C.) (N.O.)
复位LED电流(*小) 0.4mA (N.C.) (N.O.)
复位LED电流(平均) 1.3mA (N.C.) (N.O.)
LED压降(平均) [ VF ] 1.25V
LED压降(*大) [ VF ] 1.5V
导通电阻(平均) [ Ron ] 18 Ω
导通电阻(*大) [ Ron ] 25 Ω
开路状态漏电流(*大) [ ILeak ] 1μA (N.O.), 10μA (N.C.)
过电流保护功能 无功能
动作时间(平均) 0.5ms (N.O.), 1.0ms (N.C.)
动作时间(*大) 3.0ms
复位时间(平均) 0.08ms (N.O.), 0.3ms (N.C.)
复位时间(*大) 1.0ms
输入/输出间端子容量(平均) [ Ciso ] 0.8pF
输入/输出间端子容量(*大) [ Ciso ] 1.5pF
输入/输出绝缘电阻(*小) [ Riso ] 1,000 M ohm
[推荐动作条件] LED电流 [ IF ] *小:5mA *大:30mA
[推荐动作条件] 负载电压 [ VL ] *大:280V
[推荐动作条件] 连续负载电流 [ IL ] *大:0.14A (1ch), 0.12A (2ch)










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