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  • 产品名称：Panasonic松下 AQV412EHAZ PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

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  • 产品厂商：Panasonic松下
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Panasonic松下 AQV412EHAZ PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器) 

订货产品号 AQV412EHAZ
型号 AQV412EHAZ
详细 表面安装端子，盘装包装(Z)，负载电压:60 V
产品名称
特长 具备加强绝缘5,000V 1b型

 

规格详细

项目 内容
订货产品号 AQV412EHAZ
型号 AQV412EHAZ
产品名称 GE 1b
类型 GE
封装 DIP6
电压类型 AC/DC
输出构成 1b
端子形状 表面安装端子
包装方式 盘装包装(Z)
包装数量
内箱 (盘装包装) (个) 		1,000
包装数量
外箱 (个) 		1,000
LED电流 [ IF ] 50mA
LED反向电压 [ VR ] 5V
*大正向电流 [ IFP ] 1A
部允许损耗 [ Pin ] 75mW
负载电压 [ VL ] 60V
连续负载电流 [ IL ] 0.55A
峰值负载电流 [ Ipeak ] 1.5A
输出损耗 [ Pout ] 500mW
全部允许损耗 [ Pt ] 550mW
耐电压 [ Viso ] 5,000Vrms
使用环境温度: 动作温度 [ Topr ] -40℃～+85℃
使用环境温度: 保存温度 [ Tstg ] -40℃～+100℃
接合部温度 [ Tj ] 125℃
动作LED电流(平均) 1.9mA
动作LED电流(*大) 3mA
复位LED电流(*小) 0.4mA
复位LED电流(平均) 1.8mA
LED压降(平均) [ VF ] 1.25V
LED压降(*大) [ VF ] 1.5V
导通电阻(平均) [ Ron ] 1 Ω
导通电阻(*大) [ Ron ] 2.5 Ω
开路状态漏电流(*大) [ ILeak ] 10μA
过电流保护功能 无功能
动作时间(平均) 3ms
动作时间(*大) 8ms
复位时间(平均) 0.3ms
复位时间(*大) 1.5ms
输入/输出间端子容量(平均) [ Ciso ] 0.8pF
输入/输出间端子容量(*大) [ Ciso ] 1.5pF
输入/输出绝缘电阻(*小) [ Riso ] 1,000 M ohm
[推荐动作条件] LED电流 [ IF ] *小：5mA　*大：30mA
[推荐动作条件] 负载电压 [ VL ] *大：48V
[推荐动作条件] 连续负载电流 [ IL ] *大：0.55A









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