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  • 产品名称：Panasonic松下 HE 1b PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

  • 产品型号：
  • 产品厂商：Panasonic松下
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Panasonic松下 HE 1b PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

基本信息

低导通电阻和经济性两者兼备的1b型

RoHS規格 UL Recognaized VDE TRIANGLE MARK

UL 、VDE 已取得。
根据订货产品号的不同，标准取得情况也存在差异。


特点

1.负载电压 250V、400V

2.低导通电阻（typ.5.5Ω、AQV453）

3.耐电压 备有5,000V AC的高耐电压型

4.输出构成:1b

用途

1.安防设备

2.测量仪器

3.电话设备

4.传感器设备

订货产品号

订货产品号 封装 电压类型 端子形状 包装方式 负载电压 负载电流 耐电压

PhotoMOS HE 1b

品号 AQV453
型号 AQV453
DIP6 AC/DC 标准P/C板端子 管装包装 250V 200mA 1,500Vrms

PhotoMOS HE 1b

品号 AQV453A
型号 AQV453A
DIP6 AC/DC 表面安装端子 管装包装 250V 200mA 1,500Vrms

PhotoMOS HE 1b

品号 AQV453AX
型号 AQV453AX
DIP6 AC/DC 表面安装端子 盘装包装(X) 250V 200mA 1,500Vrms

PhotoMOS HE 1b

品号 AQV453AZ
型号 AQV453AZ
DIP6 AC/DC 表面安装端子 盘装包装(Z) 250V 200mA 1,500Vrms

PhotoMOS HE 1b

品号 AQV454
型号 AQV454
DIP6 AC/DC 标准P/C板端子 管装包装 400V 150mA 1,500Vrms

PhotoMOS HE 1b

品号 AQV454A
型号 AQV454A
DIP6 AC/DC 表面安装端子 管装包装 400V 150mA 1,500Vrms









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