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  • 产品名称：Panasonic松下 HE 2b PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

  • 产品型号：
  • 产品厂商：Panasonic松下
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Panasonic松下 HE 2b PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器) 

基本信息

低导通电阻和经济性两者兼备的2b型

RoHS規格 UL Recognaized

UL 已取得。


特点

1.负载电压 400V

2.低导通电阻(typ.11Ω)

3.耐电压 1,500V AC

4.输出构成:2b

用途

1.安防设备

2.测量仪器

3.电话设备

4.传感器设备

订货产品号

订货产品号 封装 电压类型 端子形状 包装方式 负载电压 负载电流 耐电压

PhotoMOS HE 2b

品号 AQW454
型号 AQW454
DIP8 AC/DC 标准P/C板端子 管装包装 400V 120mA 1,500Vrms

PhotoMOS HE 2b

品号 AQW454A
型号 AQW454A
DIP8 AC/DC 表面安装端子 管装包装 400V 120mA 1,500Vrms

PhotoMOS HE 2b

品号 AQW454AX
型号 AQW454AX
DIP8 AC/DC 表面安装端子 盘装包装(X) 400V 120mA 1,500Vrms

PhotoMOS HE 2b

品号 AQW454AZ
型号 AQW454AZ
DIP8 AC/DC 表面安装端子 盘装包装(Z) 400V 120mA 1,500Vrms

发现了4件的产品。 现表示其中的1～4件

 
包装数量 ： 标准P/C板端子 ： 内箱(管装包装)50个,外箱400个
表面安装端子 ： 内箱(管装包装)50个,外箱400个
内箱(盘装包装)1,000个,外箱1,000个

额定・性能概要

额定

1.***大额定值(测定条件环境温度：25℃)

项目 符号 AQW454 (A) 备注
输入端 LED电流
IF
50 mA  
LED反向电压
VR
5 V  
*大正向电流
IFP
1 A f = 100 Hz, 占空比 = 0.1%
允许损耗
Pin
75 mW  
输出端 负载电压(峰值AC)
VL
400 V  
连续负载电流
IL
0.12 A (0.16 A) 峰值AC, DC
( ) 内**使用1b 1电路时
峰值负载电流
Ipeak
0.36 A 100 ms (1 shot), VL = DC
输出损耗
Pout
800 mW  
全部允许损耗
PT
850 mW  
耐电压
Viso
1,500 Vrms  
使用环境温度
Topr
-40～+85°C (应无结冰，结露)
保存温度
Tstg
-40～+100°C  
接合部温度
Tj
125°C  

2.性能概要（测定条件 环境温度：25℃）

项目 符号 AQW454(A) 测定条件
输入 动作LED电流 平均
IFoff
0.9 mA IL = Max.
*大 3.0 mA
复位LED电流 *小
IFon
0.4 mA IL = Max.
平均 0.8 mA
LED压降 平均
VF
1.25 V（IF = 5 mA时，1.14 V） IF = 50 mA
*大 1.5 V
输出 导通电阻 平均
Ron
11 Ω IF = 0 mA
IL = Max.
通电时间 = 1秒以下
*大 16 Ω
开路状态漏电流 *大
ILeak
1 µA IF = 5 mA
VL = Max.












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